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力旺推出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM

文章出处:网责任编辑:作者: 人气:-发表时间:2018-12-20 15:17:00

   IP供应商力旺电子极力布局车用电子市场,提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM(电子抹除式可复写唯读存储器)矽智财(Silicon IP),来因应车用市场的需求,且不需要额外加光罩即可应用于现有平台上,不单是车用电子,也可用于指纹识别、电源管理IC、NFC、RFIC等。

  力旺这次提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM,是强化版IP,也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新产品,而这个新版IP的编写次数是原版的数十倍,同时编写/抹除(Program/Erase)时间减少将近50%,资料保存期限在150°C高温操作下,更可以高达10年之久。

  力旺分析,新版的NeoEE与现有逻辑制程和车规常用的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程完全相容,不需要加光罩即可整合至不同类型的制程平台,且该IP已经通过晶圆厂0.18微米5V制程平台的验证,目前正在着手布建将这项技术转至其他5V平台。 在应用方面,力旺指出,强化版NeoEE非常适合有高编写需求的应用,包括指纹识别芯片、智能卡、NFC、RFID,电源管理IC和微处理器(MCU)等。值得注意的是,这项IP的耐受度(endurance)、高温操作、生命周期都是依照AEC-Q100的车规标准设计,未来也会主打车用市场。 NeoEE 矽智财以标准5V MOS制程平台为开发基础,容易整合至车用电子常使用的高压(HV)及BCD等制程平台,从成本和安全的角度来看,NeoEE最适合取代传统外挂式EEPROM。

  一般可编写存储器在经过重复编写后,稳定度会递减,主要是因为重复编写会改变存储器的电子分布,导致编写和抹除位元间的信号差异愈来愈不明显,最后会无法分辨。

  力旺这次将新IP可以达到重复编写次数提升至50万次以上的水准,主要是透过优化存储器单元架构及采用新的编写/抹除运算法,来减轻重复编写造成的存储器损耗。

  经过测试,强化版NeoEE经历长达2,500个小时150°C的高温后,编写和抹除位元状态稳定,并无电流(压)增加或流失的现象。

  再者,NeoEE结构简单,抹写次数可高达1,000至50万次以上,最高容量达16K bits,可操作温度区间为-40~150°C,资料保存期限长达10年。 由于与现有逻辑制程完全相容,NeoEE无需外加任何光罩即可整合至不同类型之制程平台,可以降低半导体厂导入的成本,并且节省产品开发时间。

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